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近日，拓諾稀科技成功完成了其天使輪融資，獲得數(shù)百萬人民幣的投資，此輪融資由力合科創(chuàng)主導(dǎo)投資。

這筆資金將主要用于購置先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，提高公司在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）和霧化化學(xué)氣相沉積（mist-CVD）技術(shù)路線上的生產(chǎn)能力，以應(yīng)對市場上快速增加的需求。

作為一家專注于氧化鎵外延薄膜制備及高性能半導(dǎo)體器件研發(fā)的企業(yè)，拓諾稀科技在非晶氧化鎵薄膜技術(shù)和離子注入設(shè)備領(lǐng)域持有關(guān)鍵專利。在全球電子信息行業(yè)迅猛發(fā)展的大環(huán)境下，第三代與第四代半導(dǎo)體材料的革新正成為國際競爭的熱點(diǎn)。氧化鎵，作為一種擁有極寬禁帶特性的半導(dǎo)體材料，在高壓電力電子、射頻通信以及光電檢測等多個領(lǐng)域展示出廣泛的應(yīng)用前景。由于其出色的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，氧化鎵在高功率與高頻應(yīng)用場景中表現(xiàn)出了顯著的技術(shù)優(yōu)勢，成為新一代半導(dǎo)體材料研究的重點(diǎn)之一。

盡管如此，全球?qū)τ谘趸壨庋硬牧霞捌淦骷难邪l(fā)仍處于初級階段，中國在這一領(lǐng)域面臨較大的技術(shù)缺口。針對這一現(xiàn)狀，拓諾稀科技致力于通過自身在氧化鎵外延薄膜制備及高性能半導(dǎo)體器件開發(fā)方面的專長，努力填補(bǔ)國內(nèi)技術(shù)空白，目標(biāo)是發(fā)展成為國際領(lǐng)先的氧化鎵半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，促進(jìn)功率電子和光電檢測等行業(yè)技術(shù)的發(fā)展。

力合科創(chuàng)創(chuàng)新部成果轉(zhuǎn)化項目負(fù)責(zé)人張恒嘉指出，拓諾稀科技所關(guān)注的第四代半導(dǎo)體——氧化鎵外延生長，屬于基礎(chǔ)材料的創(chuàng)新范疇。面對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級和本土化替代的緊迫需求，該公司的研發(fā)方向不僅具有重要的戰(zhàn)略價值，而且其在P型摻雜技術(shù)上取得的突破性進(jìn)展解決了國際上的一個重大難題，對于高性能半導(dǎo)體器件的設(shè)計與制造提供了新的可能性。